KRI 霍爾離子源 eH 3000
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠(chǎng)大功率離子源對(duì)比, eH 3000 是目前市場(chǎng)上高效, 提供更高離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷卻
• 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí),**大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術(shù)參數(shù)
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型號(hào)
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eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE
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供電
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DC magnetic confinement
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- 電壓
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50-250V VDC
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- 離子源直徑
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~ 7 cm
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- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)
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模塊化
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電源控制
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eHx-25020A
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配置
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-
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- 陰極中和器
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Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
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- 離子束發(fā)散角度
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> 45° (hwhm)
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- 陽(yáng)極
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標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
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- 水冷
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前板水冷
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- 底座
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移動(dòng)或快接法蘭
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- 高度
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4.0'
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- 直徑
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5.7'
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- 加工材料
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金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體
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- 工藝氣體
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Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
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- 安裝距離
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16-45”
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- 自動(dòng)控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調(diào)角度的支架;
KRI 霍爾離子源 eH 3000 應(yīng)用**域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
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