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KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用

起訂量: 面議
價 格: 面議
品牌: KRI
供貨總量: 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 上海
有效期至: 長期有效
最后更新: 2023-05-04 12:00
關(guān)注人數(shù): 811
公司基本資料信息
伯東企業(yè)(上海)有限公司
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地區(qū)上海
地址上海市外高橋保稅區(qū)希雅路33號17號樓B座3層,200131
  • 品牌:
    KRI
  • 發(fā)貨期限:
    自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所在地:
    上海

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
上海伯東美國 KRi 考夫曼品** RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和  IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
KRi 離子源


KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
基板

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