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考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN 薄膜

起訂量: 面議
價 格: 面議
品牌: KRI
供貨總量: 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 上海
有效期至: 長期有效
最后更新: 2023-05-31 10:12
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伯東企業(yè)(上海)有限公司
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    KRI
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    上海

合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素,能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。

 

北京某大學(xué)實驗室在對硬韌  ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

試驗中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 ZrAlN 薄膜, 更好的對 ZrAlN 薄膜進行研究.

 

KRI 離子源的**特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

 

因此,  該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,   請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅**生                               臺灣伯東: 王女士
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