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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380濺射制備微晶硅薄膜

起訂量: 面議
價(jià) 格: 面議
品牌: KRI
供貨總量: 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 上海
有效期至: 長期有效
最后更新: 2023-06-02 10:02
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公司基本資料信息
伯東企業(yè)(上海)有限公司
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地址上海市外高橋保稅區(qū)希雅路33號(hào)17號(hào)樓B座3層,200131
  • 品牌:
    KRI
  • 發(fā)貨期限:
    自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所在地:
    上海

硅薄膜作為薄膜太陽能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及**良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏**域的研究熱點(diǎn).

 

采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)容易控制, 因此經(jīng)過伯東工程師推薦, 長沙某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室課題租在研究微晶硅薄膜時(shí), 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號(hào)

RFICP380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

試驗(yàn)結(jié)果:

在實(shí)驗(yàn)中, 通過伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結(jié)晶良好的微晶硅薄膜.

 

KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

 

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