在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質(zhì)具有**異的物理和化學(xué)特性, 一直是材料學(xué)研究的熱點.  研究發(fā)現(xiàn), 對成分和結(jié)構(gòu)的調(diào)控可實現(xiàn)薄膜材料的性能轉(zhuǎn)變, 進而獲得能滿足不同性能需求的薄膜.

在 對 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大學(xué)科研課題租采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉積條件及熱處理條件對其組織結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到更加致密, 均勻, 結(jié)合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學(xué)鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環(huán)境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學(xué)鍍更加綠色環(huán)保.

該實驗項目采用 Ti/ B4C 復(fù)合靶作為靶材, 通過磁控濺射方法沉積了成分、結(jié)構(gòu)可調(diào)的 Ti-B-C薄膜. 在沉積試驗之前, 背底氣壓低于510-3Pa, 再采用 Ar 離子濺射清洗30min, 工作氣壓為0.5Pa.

利用 X 射線光電子能譜 (XPS) 和 X 射線衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和結(jié)構(gòu), 利用納米壓痕法測量了 Ti-B-C 薄膜的力學(xué)性能.

KRI 離子源的**特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是**域公認的**導(dǎo)者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

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