銥 (Ir) 是一種很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波長范圍內(nèi), Ir 膜反射率比此波長范圍內(nèi)常用材料 Au、Pt 都高, 雖比 Os 膜反射率稍低, 但后者時效效應(yīng)嚴重. 相比之下, 空氣中的時效對 Ir 膜反射率幾乎沒有影響, 考慮綜合性能, Ir 膜在真空紫外波段 50100nm 范圍內(nèi)**佳.
安徽某大學(xué)課題租采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 , 在石英、K9 玻璃和 Si 基片上濺射沉積不同厚度的 Ir 膜各種不同厚度的 Ir 膜, 研究基片、表面厚度、離子束能量對 Ir 膜反射率的影響.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號
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RFICP220
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>800 mA
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離子動能
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100-1200 V
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柵極直徑
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20 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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10-40 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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30 cm
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直徑
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41 cm
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中和器
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LFN 2000
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* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
試驗中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 Ir 膜, 沉積過程中通過調(diào)節(jié)參數(shù), 沉積時間等從而得到不同厚度的 Ir 薄膜材料, 滿足各種試驗需求.
KRI 離子源的**特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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