電子系統(tǒng)在快速發(fā)展, 但是磁性器件二維化而引發(fā)與三維塊材迥異的特性和制備工藝與半導(dǎo)體技術(shù)難以兼容的問題仍未能很好的解決. 因此 MnZn鐵氧體作為一種**良磁性器件用磁性材料, 對其進(jìn)行薄膜化并研究其特性, 乃至**終制作成平面化、小型化的磁性器件顯得尤為重要.
四川某實驗室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉積 MnZn 鐵氧體薄膜, 用以研究 MnZn 鐵氧體薄膜的低溫晶化、取向生長等問題.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號
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RFICP220
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>800 mA
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離子動能
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100-1200 V
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柵極直徑
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20 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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10-40 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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30 cm
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直徑
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41 cm
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中和器
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LFN 2000
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* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
試驗中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 MnZn 鐵氧體薄膜, 沉積過程中通過調(diào)節(jié)參數(shù), 從而改變薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到多種規(guī)格的高性能的 MnZn 鐵氧體薄膜材料, 滿足各種試驗需求.
KRI 離子源的**特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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