釔鐵石榴石鐵氧體 (YIG) 是一種在室溫中廣泛應(yīng)用的亞鐵磁性材料, 由于其鐵磁共振線寬窄、電阻率高、高頻損耗小以及具有較高的法拉第旋光效率和較低的傳播損耗, 是一種具有潛在應(yīng)用價(jià)值的磁性材料, 不僅應(yīng)用于現(xiàn)代電子工業(yè)及信息產(chǎn)業(yè)的微波器件中,如環(huán)形器、隔離器等,而且在非互易波導(dǎo)器件、集成光學(xué)器件和磁光記憶**域都擁有巨大的應(yīng)用前景, 因此被廣泛研究.

陜西某實(shí)驗(yàn)室采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  射頻磁控濺射沉積方法在 SrTiO3基片上制備 YIG 薄膜, 研究不同濺射參數(shù)對(duì)薄膜表面形貌、微觀結(jié)構(gòu)和磁性能的影響.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

射頻磁控濺射法是制備磁性薄膜**為常用的方法之一, 其**點(diǎn)是沉積溫度低,可以獲得均勻致密、大面積的薄膜,沉積過程中通過調(diào)節(jié)濺射功率、濺射氣壓、氧氬比和濺射時(shí)間等參數(shù),從而改變薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到高性能的薄膜材料.

結(jié)果表明:

在其他濺射參數(shù)不變的情況下, 薄膜的厚度隨濺射時(shí)間成正比增長; 在襯底溫度為500℃、濺射氣壓為1 Pa時(shí), YIG 薄膜表面較致密, 晶粒大小均勻; 沉積薄膜的化學(xué)組分受氧分壓的影響較大, 與靶材成分相比有一定偏差. 濺射氣體為純氬氣時(shí), YIG 薄膜的化學(xué)組分與靶材化學(xué)計(jì)量比接近, 制備的YIG薄膜中存在一定量的 Fe2+ 和氧空位; 當(dāng)退火溫度為 750℃ 時(shí), 在氧氣中熱處理 40 min, 形成純的 YIG 相,飽和磁化強(qiáng)度為134emu/cm3.

KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

因此,  該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

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