起訂量: | 面議 |
價(jià) 格: | 面議 |
品牌: | KRI |
供貨總量: | 面議 |
發(fā)貨期限: | 自買(mǎi)家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨 |
所在地: | 上海 |
有效期至: | 長(zhǎng)期有效 |
最后更新: | 2023-07-05 15:19 |
關(guān)注人數(shù): | 1774 |
伯東企業(yè)(上海)有限公司 | |
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KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 生產(chǎn)過(guò)程中需在白玻璃上進(jìn)行鍍膜. 由于國(guó)產(chǎn)鍍膜設(shè)備在射頻和光控性能方面的限制, 鍍制過(guò)程易出現(xiàn)溫漂現(xiàn)象, 材料折射率不高, 品質(zhì)無(wú)法保證; 且工藝上需要加熱, 這大大增加了鍍膜時(shí)間. 經(jīng)過(guò)伯東推薦選用國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝美國(guó)進(jìn)口 KRi 射頻離子源進(jìn)行輔助鍍膜, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.
紅外截止濾光片是一種用于過(guò)濾紅外波段的濾鏡, IRCF 利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在白玻璃, 藍(lán)玻璃或樹(shù)脂片等光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 其可通過(guò)實(shí)現(xiàn)近紅外光區(qū)截止以消除紅外光對(duì)成像的影響, 是高性能攝像頭的必備組件, 工藝上對(duì)所用的鍍膜設(shè)備有著極高的要求.
KRi 射頻離子源應(yīng)用于紅外截止濾光片 IRCF 工藝
應(yīng)用**域: 光學(xué)鏡頭
薄膜工藝: IR-CUT
產(chǎn)品類別: 紅外截止濾光片
應(yīng)用方向: 國(guó)產(chǎn)鍍膜機(jī)加裝 KRi 射頻離子源進(jìn)行離子清洗和輔助沉積, 實(shí)現(xiàn) IR-CUT 單面鍍膜
美國(guó) KRi 考夫曼品**射頻離子源通過(guò)輔助鍍膜在白玻璃 IRCF 上進(jìn)行工藝升級(jí), 解決溫漂問(wèn)題, 上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理.
美國(guó) KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù):
型號(hào) |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
Discharge 陽(yáng)極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域.
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