國內(nèi)某大學(xué)采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜. 用這種方法所獲得的超導(dǎo)薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實(shí)驗(yàn)測量了樣品的超導(dǎo)參數(shù)和晶格參數(shù).
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):
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型號
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RFICP140
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>600 mA
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離子動能
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100-1200 V
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柵極直徑
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14 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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5-30 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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24.6 cm
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直徑
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24.6 cm
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中和器
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LFN 2000
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Nb3Sn 超導(dǎo)薄膜樣品的實(shí)驗(yàn)研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進(jìn)行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進(jìn)行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因?yàn)殄a的熔點(diǎn)低. 退火采用電爐絲.
濺射沉積的過程是, ****在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), **后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.
KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
KRI 離子源是**域公認(rèn)的**導(dǎo)者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.
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