某微電子制造商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積硅片金屬薄膜.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

磁控濺射法制備鋁膜是微電子工藝制備金屬薄膜**常用的工藝之一, 然而在使用磁控濺射設(shè)備制備鋁膜時(shí), 往往會發(fā)現(xiàn)調(diào)用同一個(gè)工藝菜單, 制備出的鋁膜厚度會有所不同, **大相差接近40%. 這對于制備高精度膜厚的鋁膜具有嚴(yán)重的影響.

KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

因此, 為了提高硅片金屬薄膜的均勻性，該制造才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質(zhì)譜儀,  真空計(jì),  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國HVA 真空閥門,  美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī),  美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,  請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅**生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有,  翻拷必究!