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伯東 KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備 VO2 薄膜

起訂量: 面議
價(jià) 格: 面議
品牌: KRI
供貨總量: 面議
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 上海
有效期至: 長期有效
最后更新: 2023-08-30 11:16
關(guān)注人數(shù): 1099
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伯東企業(yè)(上海)有限公司
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地址上海市外高橋保稅區(qū)希雅路33號17號樓B座3層,200131
  • 品牌:
    KRI
  • 發(fā)貨期限:
    自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所在地:
    上海

VO2 薄膜作為一種熱門的功能材料, 具有**秀的相變特性和電阻開關(guān)特性, 在微測輻射熱計(jì)、光存儲器等光學(xué)器件**域具有廣泛的應(yīng)用前景.

 

天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜, 以獲得均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 較高的透過率的 VO2 薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號

RFICP380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 KRI 考夫曼離子源 RFICP 380

客戶采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 產(chǎn)生離子束不斷轟擊源極靶材和工件, 工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫, 源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面, 經(jīng)沉積擴(kuò)散過程形成一定厚度的涂層.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 運(yùn)行結(jié)果:

1. 獲得的薄膜在可見光波段具有較高的透過率

2. 薄膜較為平整且對可見光的透過率較高為38%, 退火處理提高了薄膜的結(jié)晶性和透過率

3. 制備出單斜結(jié)構(gòu)的VO2薄膜, 且具有晶面擇**取向

4. 制備的薄膜均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 沉積速率大, 效率高, 產(chǎn)量高

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

 

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
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