VO2 薄膜作為一種熱門(mén)的功能材料, 具有**秀的相變特性和電阻開(kāi)關(guān)特性, 在微測(cè)輻射熱計(jì)、光存儲(chǔ)器等光學(xué)器件**域具有廣泛的應(yīng)用前景.

 

天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜, 以獲得均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 較高的透過(guò)率的 VO2 薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻離子源型號(hào)	RFICP380
Discharge 陽(yáng)極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

 

客戶(hù)采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 產(chǎn)生離子束不斷轟擊源極靶材和工件, 工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫, 源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面, 經(jīng)沉積擴(kuò)散過(guò)程形成一定厚度的涂層.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 運(yùn)行結(jié)果:

1. 獲得的薄膜在可見(jiàn)光波段具有較高的透過(guò)率

2. 薄膜較為平整且對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率較高為38%, 退火處理提高了薄膜的結(jié)晶性和透過(guò)率

3. 制備出單斜結(jié)構(gòu)的VO2薄膜, 且具有晶面擇**取向

4. 制備的薄膜均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 沉積速率大, 效率高, 產(chǎn)量高

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品**的指定代理商.

 

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